1. 碳载高含量锑单原子可控构筑与界面调控 本部分的核心是阐明碳载高含量锑单原子的化学稳定机制,实现高负载锑单原子(>30 wt%)的可控合成,并在此基础上主动调控界面化学构型。为此,我们提出并发展“含锑蒸气-碳捕获”定向合成策略:通过将含锑前驱体与碳源均匀复合,在程序热处理中,使含锑组分原位气化形成活性蒸气,进而被碳基质中预设或原位生成的缺陷位点(如N、O、S掺杂位)选择性化学捕获。该策略利用气相输运的均匀性与缺陷捕获的精准性,目标是实现锑原子的高密度、单分散锚定,并直接形成共价键合的Sb-X-C界面。 在此基础上,我们将系统研究碳载体掺杂(N、O、S)与锑源化学态(Sb、Sb₂O₃、Sb₂S₃)两大关键变量,对锑原子负载量及最终界面键合类型的调控规律。利用球差校正电镜(AC-HAADF-STEM)与同步辐射XAFS在原子尺度精确解析锑的分散状态与局域配位环境,结合DFT理论计算阐明其热力学稳定性机制,从而建立从合成参数到界面构型的精准调控方法。 Ver mais